Datasheet SI4804CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4804CDY-T1-GE3
![]() 33 предложений от 16 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 8 А, 0.018 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay | от 50 ₽ | ||
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay | от 52 ₽ | ||
SI4804CDYT1GE3 | 2 426 ₽ | ||
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 8 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4804CDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 18 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 8 А
- Voltage Vgs Max: 20 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4804CDYT1GE3, SI4804CDY T1 GE3