Datasheet SI4922BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SOIC — Даташит

Купить SI4922BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 418 ₽ 29 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	SI4922BDY-T1-E3 Vishay	23 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI4922BDY-T1-E3 Vishay	от 60 ₽	Купить
Эиком Россия	SI4922BDY-T1-E3 Vishay	от 131 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI4922BDY-T1-E3 Vishay	418 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SOIC

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 16 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 8 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Семейство: 4922
• N-channel Gate Charge: 19nC
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 24 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 18 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 16 МОм
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4922BDYT1E3, SI4922BDY T1 E3