Datasheet SI4925DDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP-CH, 30 В, 8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4925DDY-T1-GE3
![]() 38 предложений от 18 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 8 А, 0.024 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4925DDY-T1-GE3 | от 11 ₽ | ||
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay | 43 ₽ | ||
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay | 178 ₽ | ||
SI4925DDY-T1-GE3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP-CH, 30 В, 8 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4925DDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -8 А
- Voltage Vgs Max: 20 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4925DDYT1GE3, SI4925DDY T1 GE3