Datasheet SI4936CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 5.8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4936CDY-T1-GE3
![]() 32 предложений от 16 поставщиков Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.8 А, 2.3 Вт | |||
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay | 41 ₽ | ||
SI4936CDY-T1-GE3. Vishay | 58 ₽ | ||
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 5.8 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4936CDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 33 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 5.8 А
- Voltage Vgs Max: 20 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4936CDYT1GE3, SI4936CDY T1 GE3