Datasheet SI4948BEY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP-CH, 60 В, 3.1 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4948BEY-T1-GE3
![]() 35 предложений от 17 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 2.4 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4948BEY-T1-GE3 | от 15 ₽ | ||
SI4948BEY-T1-GE3 Vishay | от 86 ₽ | ||
SI4948BEY-T1-GE3 Vishay | от 343 ₽ | ||
SI4948BEY-T1-GE3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP-CH, 60 В, 3.1 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4948BEY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 60-V (D-S) 175° MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 60 RDS(on) () 0.120 at VGS = - 10 V 0.150 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 3.1 - 2.8
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -3.1 А
- Voltage Vgs Max: 20 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4948BEYT1GE3, SI4948BEY T1 GE3