Datasheet SI7844DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI7844DP-T1-E3

Наименование модели: SI7844DP-T1-E3

Купить SI7844DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 120 до 171 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Mosfet Array 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Akcel Весь мир	SI7844DP-T1-E3 Vishay	от 120 ₽
AiPCBA Весь мир	SI7844DP-T1-E3 Vishay	149 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	SI7844DP-T1-E3	по запросу
Acme Chip Весь мир	SI7844DP-T1-E3 Vishay	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7844DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 10 8.5

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 10 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 22 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
Рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
Current Id Max: 10 А
Module Configuration: Dual
Тип корпуса: SOIC
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Max: 2.4 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7844DPT1E3, SI7844DP T1 E3