Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI7844DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI7844DP-T1-E3

Наименование модели: SI7844DP-T1-E3

21 предложений от 14 поставщиков
Труба MOS, VISHAY SI7844DP-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 10A, 30V, 22mohm, 10V, 2.4V
ChipWorker
Весь мир
SI7844DP-T1-E3
Vishay
61 ₽
ЭИК
Россия
SI7844DP-T1-E3
Vishay
от 186 ₽
SI7844DP-T1-E3
Vishay
по запросу
727GS
Весь мир
SI7844DP-T1-E3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7844DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 10 8.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 22 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 10 А
  • Module Configuration: Dual
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 2.4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7844DPT1E3, SI7844DP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7844DP-T1-E3 - Vishay MOSFET, DUAL, N, SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка