Datasheet SI7844DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI7844DP-T1-E3
![]() 21 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7844DP-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 10A, 30V, 22mohm, 10V, 2.4V | |||
SI7844DP-T1-E3 Vishay | 61 ₽ | ||
SI7844DP-T1-E3 Vishay | от 186 ₽ | ||
SI7844DP-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI7844DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si7844DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 10 8.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
- Рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 10 А
- Module Configuration: Dual
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 2.4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7844DPT1E3, SI7844DP T1 E3