Datasheet SI7945DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, POWERPAK — Даташит

Купить SI7945DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 79 до 191 ₽ 10 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, MOSFET, PP CH, 30V, 7A, PPAK SO8; Transistor Polarity: P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage V......
Maybo Весь мир	SI7945DP-T1-GE3 Vishay	103 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI7945DP-T1-GE3 Vishay	191 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SI7945DP-T1-GE3	по запросу	Купить
МосЧип Россия	SI7945DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, POWERPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7945DP
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.020 at VGS = - 10 V 0.031 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 10.9 49 - 8.8 Qg (Typ.)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: Dual P
• Max Current Id: 7 А
• Max Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 0.02 Ом
• Rds Measurement Voltage: -10 В
• Max Voltage Vgs: 3 В
• Power Dissipation: 1.4 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
• Количество выводов: 8
• Тип корпуса: SOIC
• Cont Current Id: 7 А
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: SI7945DP
• External Depth: 5.15 мм
• Внешняя длина / высота: 1.07 мм
• Внешняя ширина: 6.15 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.5 °C/Вт
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Max On State Resistance: 0.02 Ом
• Min Junction Temperature, Tj: -55°C
• Min Voltage Vgs th: -1 В
• Количество транзисторов: 2
• P Channel Gate Charge: 49nC
• Power Dissipation Pd: 1.4 Вт
• Pulse Current Idm: 30 А
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: MOSFET
• Typ Voltage Vds: -30 В
• Typ Voltage Vgs th: -3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7945DPT1GE3, SI7945DP T1 GE3