Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI9933CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP-CH, 20 В, 4 А, SO8 — Даташит

Vishay SI9933CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9933CDY-T1-GE3

36 предложений от 18 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4 А, 0.048 Ом, SOIC, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay
30 ₽
Контест
Россия
SI9933CDY-T1-GE3
Siliconix
по запросу
727GS
Весь мир
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP-CH, 20 В, 4 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si9933CDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 48 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
  • Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -4 А
  • Voltage Vgs Max: 12 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI9933CDYT1GE3, SI9933CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9933CDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, PP-CH, 20 V, 4 A, SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка