Datasheet SI9934BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 12 В, 4.8 А, 8SOIC — Даташит

Vishay SI9934BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9934BDY-T1-GE3

Купить SI9934BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.53 до 64 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков MOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V
Akcel Весь мир	SI9934BDY-T1-GE3 Vishay	от 3.53 ₽
AiPCBA Весь мир	SI9934BDY-T1-GE3 Vishay	64 ₽
ChipWorker Весь мир	SI9934BDY-T1-GE3 Vishay	64 ₽
Acme Chip Весь мир	SI9934BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 12 В, 4.8 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si9934BDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 12 RDS(on) () 0.035 at VGS = - 4.5 V 0.056 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 6.4 - 5.1

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: P Channel
Drain Source Voltage Vds: -12 В
On Resistance Rds(on): 28 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
Current Id Max: -4.8 А

RoHS: есть

Варианты написания:

SI9934BDYT1GE3, SI9934BDY T1 GE3