Datasheet SI9945AEY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si9945AEY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.080 at VGS = 10 V 0.100 at VGS = 4.5 V ID (A) ± 3.7 ± 3.4

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 3.7 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01
• STANNOL - 631954

Варианты написания:

SI9945AEYT1E3, SI9945AEY T1 E3