На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet SI9945BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 5.3 А, 8SOIC — Даташит

Vishay SI9945BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9945BDY-T1-GE3

33 предложений от 17 поставщиков
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А
SI9945BDY-T1-GE3
Vishay
12 ₽
ЧипСити
Россия
SI9945BDY-T1-GE3
Vishay
40 ₽
Romstore
Россия, Беларусь
SI9945BDY-T1-GE3
от 88 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI9945BDY-T1-GE3
Siliconix
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 5.3 А, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si9945BDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 46 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 5.3 А

RoHS: есть

Варианты написания:

SI9945BDYT1GE3, SI9945BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9945BDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, 60 V, 5.3 A, 8SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России