Datasheet SIB911DK-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, PPAK SC-75 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, PPAK SC-75

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiB911DK
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 295 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SC-75
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: -2.6 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Module Configuration: Dual
• Тип корпуса: SC-75
• Rise Time: 45 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1 В
• Voltage Vgs th Min: 0.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIB911DKT1GE3, SIB911DK T1 GE3