Datasheet SIR770DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, SC DIO, 30 В, 8 А, PPAKS08 — Даташит

Vishay SIR770DP-T1-GE3

Наименование модели: SIR770DP-T1-GE3

Купить SIR770DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 4 746 ₽ 13 предложений от 6 поставщиков МОП-транзистор 30V 8A/8A DUAL N-CH МОП-транзистор w/Shottky
AiPCBA Весь мир	SIR770DP-T1-GE3 Vishay	18 ₽
Akcel Весь мир	SIR770DP-T1-GE3 Vishay	от 25 ₽
ChipWorker Весь мир	SIR770DP-T1-GE3 Vishay	47 ₽
ТМ Электроникс Россия	SIR770DP-T1-GE3 Vishay	от 113 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, SC DIO, 30 В, 8 А, PPAKS08

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR770DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS Channel-1 Channel-2 30 30 RDS(on) () 0.021 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V 0.021 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V ID (A)

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 17500µ Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
Power Dissipation Pd: 3.6 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
Количество выводов: 8
Current Id Max: 8 А

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
Fairchild - FDFS6N754
Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SIR770DPT1GE3, SIR770DP T1 GE3