Datasheet SMMB911DK-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 2.6 А, POWERPAK SC-75 — Даташит
Наименование модели: SMMB911DK-T1-GE3
VISHAY SILICONIX SMMB911DK-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -2.6 A, -20 V, 24.2 mohm, -4.5 V, -1 V | |||
| SMMB911DK-T1-GE3 Vishay | 304 ₽ | ||
| SMMB911DK-T1-GE3 Vishay | 304 ₽ | ||
| SMMB911DK-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SMMB911DK-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 2.6 А, POWERPAK SC-75
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 24.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SC-75
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: -2.6 А
- Тип корпуса: SC-75
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
Варианты написания:
SMMB911DKT1GE3, SMMB911DK T1 GE3
