Datasheet SQ4942EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 40 В, 8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SQ4942EY-T1-GE3
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, VISHAY SQ4942EY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 8A, 40V, 0.016Ω, 10V, 2V | |||
SQ4942EY-T1-GE3 Vishay | 54 ₽ | ||
SQ4942EY-T1-GE3 Vishay | 209 ₽ | ||
SQ4942EY-T1-GE3 | по запросу | ||
SQ4942EY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 40 В, 8 А, SO8
Краткое содержание документа:
SQ4942EY
Vishay Siliconix
Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 40 0.020 0.026 8 Dual
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 0.016 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Power Dissipation Pd: 4.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- International Rectifier - IRF7469PBF
Варианты написания:
SQ4942EYT1GE3, SQ4942EY T1 GE3