Datasheet SQJ941EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, Вт диод, 30 В, 8 А, POPAK8L — Даташит
Наименование модели: SQJ941EP-T1-GE3
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8 | |||
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay | 79 ₽ | ||
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay | 94 ₽ | ||
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay | 513 ₽ | ||
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP CH, Вт диод, 30 В, 8 А, POPAK8L
Краткое содержание документа:
SQJ941EP
Vishay Siliconix
Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) per leg Configuration
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -8 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Power Dissipation Pd: 55 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- Fairchild - SI4435DY.
Варианты написания:
SQJ941EPT1GE3, SQJ941EP T1 GE3