Degson: клеммы, корпуса, источники питания

Datasheet SQJ964EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 60 В, 8 А, POPAK8L — Даташит

Vishay SQJ964EP-T1-GE3

Наименование модели: SQJ964EP-T1-GE3

8 предложений от 5 поставщиков
MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC
ChipWorker
Весь мир
SQJ964EP-T1-GE3
Vishay
136 ₽
AiPCBA
Весь мир
SQJ964EP-T1-GE3
Vishay
136 ₽
Akcel
Весь мир
SQJ964EP-T1-GE3
Vishay
от 336 ₽
SQJ964EP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 60 В, 8 А, POPAK8L

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ964EP
Vishay Siliconix
Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V ID (A) per leg Configuration 60 0.028 8 Dual

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.8 В
  • Power Dissipation Pd: 35 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: PowerPAK SO
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Fairchild - FDS5680

Варианты написания:

SQJ964EPT1GE3, SQJ964EP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SQJ964EP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, W DIODE, 60 V, 8 A, POPAK8L

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России