Datasheet SQJ970EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 40 В, 8 А, POPAK8L — Даташит

Vishay SQJ970EP-T1-GE3

Наименование модели: SQJ970EP-T1-GE3

Купить SQJ970EP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 58 до 237 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков MOSFET DUAL N-CH 40V PPAK 8SOIC
Akcel Весь мир	SQJ970EP-T1-GE3 Vishay	от 58 ₽
AiPCBA Весь мир	SQJ970EP-T1-GE3 Vishay	232 ₽
Acme Chip Весь мир	SQJ970EP-T1-GE3 Vishay	по запросу
ТаймЧипс Россия	SQJ970EP-T1-GE3 Vishay	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 40 В, 8 А, POPAK8L

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ970EP
Vishay Siliconix
Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) per leg Configuration

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 8 А
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 0.016 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
Power Dissipation Pd: 48 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: PowerPAK SO
Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
International Rectifier - IRF7469PBF

Варианты написания:

SQJ970EPT1GE3, SQJ970EP T1 GE3