Datasheet SSM6N7002FU(TE85LF - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 0.2 А, 60 В, US6 — Даташит

Купить SSM6N7002FU(TE85LF на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 51 ₽ 8 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
Зенер Россия и страны ТС	SSM6N7002FU(TE85LF	от 11 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SSM6N7002FU(TE85LF Toshiba	51 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	SSM6N7002FU(TE85LF) Toshiba	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SSM6N7002FU(TE85LF) Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 0.2 А, 60 В, US6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SSM6N7002FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6N7002FU
High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
· · Small package Low ON resistance : Ron = 3.3 (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 3.2 (max) (@VGS = 5 V) : Ron = 3.0 (max) (@VGS = 10 V) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Корпус транзистора: US6
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 200 мА
• Current Id Max: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 2.2 Ом
• Тип корпуса: US6
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть