Datasheet STS2DNF30L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 3 А, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: STS2DNF30L
Купить STS2DNF30L на РадиоЛоцман.Цены — от 9.55 до 226 ₽ 23 предложений от 14 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 3 А, 0.09 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
STS2DNF30L STMicroelectronics | от 9.55 ₽ | ||
STS2DNF30L STMicroelectronics | от 9.97 ₽ | ||
STS2DNF30L | 226 ₽ | ||
STS2DNF30L STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 3 А, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
STS2DNF30L
Dual n-channel 30 V, 0.09 3 A SO-8 , STripFETTM Power MOSFET
Features
Type STS2DNF30L
VDSS 30V
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 90 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 3 А
- Current Id Max: 3 А
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 0.09 Ом
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 18 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть