Datasheet VNS3NV04D-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор мощность AUTOPROTECT 8-SOIC — Даташит

Купить VNS3NV04D-E на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 174 ₽ 15 предложений от 14 поставщиков Импульсный источник питания, Gate Drivers N-Ch 45V 3.5A Omni
727GS Весь мир	VNS3NV04D-E STMicroelectronics	от 85 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	VNS3NV04D-E STMicroelectronics	154 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	VNS3NV04D-E STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	VNS3NV04D-E STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор мощность AUTOPROTECT 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VNS3NV04D-E
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Features
Max On-State resistance (per ch.) Current limitation (typ) Drain-Source clamp voltage RON ILIMH VCLAMP 120m 3.5A 40V
SO-8

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 120 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Power Dissipation Pd: 4 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 45 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

VNS3NV04DE, VNS3NV04D E