Datasheet VNS3NV04D-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор мощность AUTOPROTECT 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: VNS3NV04D-E
Купить VNS3NV04D-E на РадиоЛоцман.Цены — от 74 до 328 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 3.5A 8-SOIC | |||
VNS3NV04D-E STMicroelectronics | 74 ₽ | ||
VNS3NV04D-E STMicroelectronics | 168 ₽ | ||
VNS3NV04D-E STMicroelectronics | по запросу | ||
VNS3NV04D-E STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор мощность AUTOPROTECT 8-SOIC
Краткое содержание документа:
VNS3NV04D-E
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Features
Max On-State resistance (per ch.) Current limitation (typ) Drain-Source clamp voltage RON ILIMH VCLAMP 120m 3.5A 40V
SO-8
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 120 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Power Dissipation Pd: 4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 3.5 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 45 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
VNS3NV04DE, VNS3NV04D E