Datasheet SI1029X-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, 60 В, SC-89 — Даташит
Наименование модели: SI1029X-T1-GE3
![]() 35 предложений от 15 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 60 В, 305 мА, 1.4 Ом, SC-89, Surface Mount | |||
SI1029X-T1-GE3 Vishay | от 28 ₽ | ||
SI1029X-T1-GE3 | 87 ₽ | ||
SI1029XT1GE3 | 800 ₽ | ||
SI1029X-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NP CH, 60 В, SC-89
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 305 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Количество выводов: 6
- Корпус транзистора: SC-89
- Полярность транзистора: N and P Complement
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI1029XT1GE3, SI1029X T1 GE3