Datasheet SI3586DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, 2.5 А, TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3586DV-T1-GE3
![]() 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | |||
SI3586-DV-T1-GE3 Vishay | от 6.89 ₽ | ||
SI3586DV-T1-GE3 Vishay | 13 ₽ | ||
SI3586DV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI3586DV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, 2.5 А, TSOP
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
- Power Dissipation Pd: 830 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3586DVT1GE3, SI3586DV T1 GE3