Datasheet SI3590DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, Вт диод, TSOP6 — Даташит

Купить SI3590DV-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.45 до 2 131 ₽ 34 предложений от 13 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 2.5 А, 0.062 Ом, TSOP, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	SI3590DV-T1-GE3 Vishay	19 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI3590DV-T1-GE3 Vishay	от 33 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI3590DV-T1-GE3 Vishay	от 58 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI3590DV-T1-GE3 Vishay	от 68 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, Вт диод, TSOP6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3590DV
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 30 RDS(on) () 0.077 at VGS = 4.5 V 0.120 at VGS = 2.5 V 0.170 at VGS = - 4.5 V 0.300 at VGS = - 2.5 V ID (A) 3 2 -2 - 1.2

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.062 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Рассеиваемая мощность: 830 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3590DVT1GE3, SI3590DV T1 GE3