Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI3861BDV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI3861BDV-T1-GE3

Наименование модели: SI3861BDV-T1-GE3

14 предложений от 11 поставщиков
, Power Switch Hi Side 2.3A 6-Pin TSOP T/R
727GS
Весь мир
SI3861BDV-T1-GE3
Vishay
от 256 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI3861BDV-T1-GE3
по запросу
TradeElectronics
Россия
SI3861BDV-T1-GE3
Vishay
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SI3861BDV-T1-GE3
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N/P CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 145 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Power Dissipation Pd: 830 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3861BDVT1GE3, SI3861BDV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3861BDV-T1-GE3 - Vishay DUAL N/P CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка