Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SI3900DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 2.4 А — Даташит

Vishay SI3900DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3900DV-T1-GE3

39 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
ChipWorker
Весь мир
SI3900DV-T1-GE3
Vishay
13 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
SI3900DV-T1-GE3
Vishay
от 30 ₽
SI3900DV-T1-GE3
Vishay
от 72 ₽
Augswan
Весь мир
SI3900DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 2.4 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 125 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3900DVT1GE3, SI3900DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3900DV-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 20 V, 2.4 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка