HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI3900DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 2.4 А — Даташит

Vishay SI3900DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3900DV-T1-GE3

22 предложений от 13 поставщиков
транзисторы полевые импортные
SI3900DV-T1-GE3, N-кан.транзистор 20В 2.4A TSOP-6
Vishay
29 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI3900DV-T1-GE3
Vishay
35 ₽
Элитан
Россия
SI3900DV-T1-GE3
Vishay
73 ₽
ЭИК
Россия
SI3900DV-T1-GE3
Vishay
от 78 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 2.4 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 125 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3900DVT1GE3, SI3900DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3900DV-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 20 V, 2.4 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России