Degson: клеммы, корпуса, источники питания

Datasheet SI3993DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 2.2 А — Даташит

Vishay SI3993DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3993DV-T1-GE3

9 предложений от 6 поставщиков
Mosfet Array 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
AiPCBA
Весь мир
SI3993DV-T1-GE3
Vishay
41 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI3993DV-T1-GE3
Vishay
42 ₽
Akcel
Весь мир
SI3993DV-T1-GE3
Vishay
от 227 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SI3993DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 2.2 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 133 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3993DVT1GE3, SI3993DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3993DV-T1-GE3 - Vishay DUAL P CHANNEL MOSFET, -30 V, 2.2 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России