Datasheet SI4501ADY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 30 В, SOIC — Даташит

Vishay SI4501ADY-T1-GE3

Наименование модели: SI4501ADY-T1-GE3

Купить SI4501ADY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 314 ₽ 9 предложений от 6 поставщиков Mosfet Array 30V, 8V 6.3A, 4.1A 1.3W Surface Mount 8-SOIC
AiPCBA Весь мир	SI4501ADY-T1-GE3 Vishay	47 ₽
ChipWorker Весь мир	SI4501ADY-T1-GE3 Vishay	48 ₽
Akcel Весь мир	SI4501ADY-T1-GE3 Vishay	от 314 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SI4501ADY-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 30 В, SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4501ADY
Vishay Siliconix
Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 30 -8 RDS(on) () 0.018 at VGS = 10 V 0.027 at VGS = 4.5 V 0.042 at VGS = - 4.5 V 0.060 at VGS = - 2.5 V ID (A) 8.8 7.0 - 5.7 - 4.8

Спецификации:

Полярность транзистора: N and P Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 42 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4501ADYT1GE3, SI4501ADY T1 GE3