Datasheet SI4563DY-T1-GE3 - Vishay Даташит NPN & PNP полевой транзистор, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4563DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC | |||
| SI4563DY-T1-GE3 Vishay | 104 ₽ | ||
| SI4563DY-T1-GE3 Vishay | 104 ₽ | ||
| SI4563DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI4563DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: NPN & PNP полевой транзистор, SOIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 16 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4563DYT1GE3, SI4563DY T1 GE3
