Datasheet SI4816BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 8SOIC — Даташит

Купить SI4816BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 3 731 ₽ 31 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В
Lixinc Electronics Весь мир	SI4816BDY-T1-GE3 Vishay	от 71 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI4816BDY-T1-GE3 Vishay	от 406 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SI4816BDY-T1-GE3	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI4816BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4816BDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) Channel-1 30 Channel-2 RDS(on) () 0.0185 at VGS = 10 V 0.0225 at VGS = 4.5 V 0.0115 at VGS = 10 V 0.016 at VGS = 4.5 V ID (A) 6.8 6.0 11.4 9.5 Qg (Typ.) 7.8 11.6

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 5.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.0155 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: SOIC
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4816BDYT1GE3, SI4816BDY T1 GE3