Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI4914BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, SOIC — Даташит

Vishay SI4914BDY-T1-E3

Наименование модели: SI4914BDY-T1-E3

11 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A/7.4A 8Pin SOIC N T/R
Maybo
Весь мир
SI4914BDY-T1-E3
Vishay
13 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
SI4914BDY-T1-E3 MOS
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
SI4914BDY-T1-E3
Vishay
по запросу
МосЧип
Россия
SI4914BDY-T1-E3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4914BDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) Channel-1 30 Channel-2 RDS(on) () 0.021 at VGS = 10 V 0.027 at VGS = 4.5 V 0.020 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 8.4 7.4 8d 8d 6.7

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 7.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 16.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.7 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4914BDYT1E3, SI4914BDY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4914BDY-T1-E3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 30 V, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка