Datasheet SI4922BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 8 А — Даташит
Наименование модели: SI4922BDY-T1-GE3
Купить SI4922BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 5 725 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | |||
SI4922BDY-T1-GE3 Vishay | 28 ₽ | ||
SI4922BDY-T1-GE3 Vishay | 52 ₽ | ||
SI4922BDY-T1-GE3 Vishay | 64 ₽ | ||
SI4922BDYT1GE3 | 5 725 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 8 А
Краткое содержание документа:
Si4922BDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.016 at VGS = 10 V 30 0.018 at VGS = 4.5 V 0.024 at VGS = 2.5 V ID (A)a, e 8 8 8 19 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4922BDYT1GE3, SI4922BDY T1 GE3