Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI4922BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 8 А — Даташит

Vishay SI4922BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4922BDY-T1-GE3

20 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay
28 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay
52 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay
64 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4922BDYT1GE3
5 725 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 8 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4922BDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.016 at VGS = 10 V 30 0.018 at VGS = 4.5 V 0.024 at VGS = 2.5 V ID (A)a, e 8 8 8 19 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 24 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4922BDYT1GE3, SI4922BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4922BDY-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 30 V, 8 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России