Datasheet SI4943BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 8.4 А — Даташит
Наименование модели: SI4943BDY-T1-GE3
![]() 9 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8Pin SOIC N T/R | |||
SI4943BDY-T1-GE3 Vishay | 81 ₽ | ||
SI4943BDY-T1-GE3 Vishay | от 365 ₽ | ||
SI4943BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4943BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 8.4 А
Краткое содержание документа:
Si4943BDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.019 at VGS = - 10 V 0.031 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 8.4 - 6.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -8.4 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 19 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4943BDYT1GE3, SI4943BDY T1 GE3