Datasheet SI4944DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 12.2 А — Даташит
Наименование модели: SI4944DY-T1-GE3
![]() 7 предложений от 6 поставщиков MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC | |||
SI4944DY-T1-GE3 Vishay | 111 ₽ | ||
SI4944DY-T1-GE3 Vishay | от 365 ₽ | ||
SI4944DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4944DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 12.2 А
Краткое содержание документа:
Si4944DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0095 at VGS = 10 V 0.016 at VGS = 4.5 V ID (A) 12.2 9.4
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 16 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4944DYT1GE3, SI4944DY T1 GE3