Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SI4953ADY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 4.9 А — Даташит

Vishay SI4953ADY-T1-GE3

Наименование модели: SI4953ADY-T1-GE3

6 предложений от 6 поставщиков
Mosfet Array 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
AiPCBA
Весь мир
SI4953ADY-T1-GE3
Vishay
56 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4953ADY-T1-GE3
Vishay
57 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SI4953ADY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI4953ADY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 4.9 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -4.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 53 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4953ADYT1GE3, SI4953ADY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4953ADY-T1-GE3 - Vishay DUAL P CHANNEL MOSFET, -30 V, 4.9 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России