Datasheet SI5515CDC-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, 20 В, 1206 — Даташит
Наименование модели: SI5515CDC-T1-E3
![]() 28 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
SI5515CDC-T1-E3 | от 8.63 ₽ | ||
SI5515CDC-T1-E3 Vishay | 17 ₽ | ||
SI5515CDC-T1-E3 Vishay | 23 ₽ | ||
SI5515CDC-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NP CH, 20 В, 1206
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: ChipFET
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI5515CDCT1E3, SI5515CDC T1 E3