Datasheet SI5519DU-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, POWERPAK — Даташит
Наименование модели: SI5519DU-T1-GE3
6 предложений от 6 поставщиков MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET | |||
SI5519DU-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI5519DU-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI5519DU-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI5519DU-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, POWERPAK
Краткое содержание документа:
Si5519DU
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 20 RDS(on) () 0.036 at VGS = 4.5 V 0.063 at VGS = 2.5 V 0.064 at VGS = - 4.5 V 0.095 at VGS = - 2.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 6.0 6.0 - 6.0 - 6.0 6.0 nC 5.4 nC
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N & P Channel
- Continuous Drain Current, Id: 6 А
- Drain Source Voltage, Vds: 20 В
- On Resistance, Rds(on): 0.03 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI5519DUT1GE3, SI5519DU T1 GE3