HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI5519DU-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, POWERPAK — Даташит

Vishay SI5519DU-T1-GE3

Наименование модели: SI5519DU-T1-GE3

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, POWERPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si5519DU
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 20 RDS(on) () 0.036 at VGS = 4.5 V 0.063 at VGS = 2.5 V 0.064 at VGS = - 4.5 V 0.095 at VGS = - 2.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 6.0 6.0 - 6.0 - 6.0 6.0 nC 5.4 nC

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: Dual N & P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: 6 А
  • Drain Source Voltage, Vds: 20 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.03 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5519DUT1GE3, SI5519DU T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI5519DU-T1-GE3 - Vishay DUAL N/P CH MOSFET, 20 V, POWERPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России