Datasheet SI5906DU-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6 А — Даташит
Наименование модели: SI5906DU-T1-GE3
Mosfet Array 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual | |||
| SI5906DU-T1-GE3 Vishay | 25 ₽ | ||
| SI5906DU-T1-GE3 Vishay | 25 ₽ | ||
| SI5906DU-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI5906DU-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.031 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI5906DUT1GE3, SI5906DU T1 GE3
