Datasheet SI6963BDQ-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, TSSOP — Даташит
Наименование модели: SI6963BDQ-T1-GE3
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 45mohm @ 4.5V | |||
SI6963BDQ-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
SI6963BDQ-T1-GE3 Vishay | 92 ₽ | ||
SI6963BDQ-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI6963BDQ-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, TSSOP
Краткое содержание документа:
Si6963BDQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 4.5 V 0.080 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 3.9 - 3.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.9 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI6963BDQT1GE3, SI6963BDQ T1 GE3