Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet SI7501DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 8-1212 — Даташит

Vishay SI7501DN-T1-GE3

Наименование модели: SI7501DN-T1-GE3

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 / Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
ChipWorker
Весь мир
SI7501DN-T1-GE3
Vishay
36 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7501DN-T1-GE3
Vishay
96 ₽
Maybo
Весь мир
SI7501DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
МосЧип
Россия
SI7501DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 8-1212

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7501DN
Vishay Siliconix
Complementary 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) P-Channel N-Channel - 30 30 RDS(on) () 0.051 at VGS = - 10 V 0.075 at VGS = - 6 V 0.035 at VGS = 10 V 0.050 at VGS = 4.5 V ID (A) - 6.4 - 5.3 7.7 6.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Способ монтажа: SMD
  • Тип корпуса: 8-1212 PowerPAK

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7501DNT1GE3, SI7501DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7501DN-T1-GE3 - Vishay DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 8-1212

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка