Datasheet SI7501DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 8-1212 — Даташит

Vishay SI7501DN-T1-GE3

Наименование модели: SI7501DN-T1-GE3

Купить SI7501DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 115 до 117 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Mosfet Array 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
AiPCBA Весь мир	SI7501DN-T1-GE3 Vishay	115 ₽
ChipWorker Весь мир	SI7501DN-T1-GE3 Vishay	117 ₽
Acme Chip Весь мир	SI7501DN-T1-GE3 Vishay	по запросу
МосЧип Россия	SI7501DN-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 8-1212

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7501DN
Vishay Siliconix
Complementary 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) P-Channel N-Channel - 30 30 RDS(on) () 0.051 at VGS = - 10 V 0.075 at VGS = - 6 V 0.035 at VGS = 10 V 0.050 at VGS = 4.5 V ID (A) - 6.4 - 5.3 7.7 6.5

Спецификации:

Полярность транзистора: N and P Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Способ монтажа: SMD
Тип корпуса: 8-1212 PowerPAK

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7501DNT1GE3, SI7501DN T1 GE3