OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet SI7904BDN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6 А — Даташит

Vishay SI7904BDN-T1-GE3

Наименование модели: SI7904BDN-T1-GE3

21 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
AiPCBA
Весь мир
SI7904BDN-T1-GE3
Vishay
18 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI7904BDN-T1-GE3
Vishay
56 ₽
ЧипСити
Россия
SI7904BDN-T1-GE3
Vishay
68 ₽
ЭИК
Россия
SI7904BDN-T1-GE3
Vishay
от 108 ₽
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7904BDN
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.030 at VGS = 4.5 V 20 0.036 at VGS = 2.5 V 0.045 at VGS = 1.8 V ID (A)a 6 6 9 nC 6 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 45 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 1.8 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7904BDNT1GE3, SI7904BDN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7904BDN-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 20 V, 6 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России