Degson: клеммы, корпуса, источники питания

Datasheet SI7913DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 7.4 А — Даташит

Vishay SI7913DN-T1-GE3

Наименование модели: SI7913DN-T1-GE3

15 предложений от 8 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт
RE1C001ZPTL
Rohm
от 7.66 ₽
Akcel
Весь мир
SI7913DN-T1-GE3
Vishay
от 60 ₽
СЭлКом
Россия и страны СНГ
SI7913DN-T1-GE3
Vishay
63 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI7913DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 7.4 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7913DN
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.037 at VGS = - 4.5 V 0.048 at VGS = - 2.5 V 0.066 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 7.4 - 6.5 - 55

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -7.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 66 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 1.8 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7913DNT1GE3, SI7913DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7913DN-T1-GE3 - Vishay DUAL P CHANNEL MOSFET, -20 V, 7.4 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России