Datasheet SI7913DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 7.4 А — Даташит
Наименование модели: SI7913DN-T1-GE3
![]() 31 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
SI7913DN-T1-GE3 | от 103 ₽ | ||
SI7913DN-T1-GE3 Vishay | 3 056 ₽ | ||
SI7913DNT1GE3 | 5 806 ₽ | ||
SI7913DN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 7.4 А
Краткое содержание документа:
Si7913DN
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.037 at VGS = - 4.5 V 0.048 at VGS = - 2.5 V 0.066 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 7.4 - 6.5 - 55
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -7.4 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 66 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 1.8 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7913DNT1GE3, SI7913DN T1 GE3