HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI7923DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 6.4 А — Даташит

Vishay SI7923DN-T1-GE3

Наименование модели: SI7923DN-T1-GE3

22 предложений от 9 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6.4 А, 0.075 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
SI7923DN-T1-GE3
Vishay
89 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI7923DN-T1-GE3
Vishay
96 ₽
ЭИК
Россия
SI7923DN-T1-GE3
Vishay
от 138 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI7923DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 6.4 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7923DN
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.047 at VGS = - 10 V 0.075 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 6.4 -5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 75 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7923DNT1GE3, SI7923DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7923DN-T1-GE3 - Vishay DUAL P CHANNEL MOSFET, -30 V, 6.4 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России