Datasheet SI7923DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 6.4 А — Даташит
Наименование модели: SI7923DN-T1-GE3
![]() 32 предложений от 12 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6.4 А, 0.075 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount | |||
SI7923DN-T1-GE3 Vishay | 60 ₽ | ||
SI7923DN-T1-GE3 Vishay | 79 ₽ | ||
SI7923DN-T1-GE3 Vishay | от 124 ₽ | ||
SI7923DN-T1-GE3 Vishay | от 125 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 6.4 А
Краткое содержание документа:
Si7923DN
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.047 at VGS = - 10 V 0.075 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 6.4 -5
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.4 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 75 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7923DNT1GE3, SI7923DN T1 GE3