Datasheet SI7949DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7949DP-T1-E3
![]() 32 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7949DP-T1-E3 Dual MOSFET, Dual P Channel, -5A, -60V, 0.051Ω, 20V, -3V | |||
SI7949DP-T1-E3 Vishay | 47 ₽ | ||
SI7949DP-T1-E3 Vishay | 113 ₽ | ||
SI7949DP-T1-E3 Vishay | от 157 ₽ | ||
SI7949DP-T1-E3 Texas Instruments | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 8SOIC
Краткое содержание документа:
Si7949DP
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 60 RDS(on) () 0.064 at VGS = - 10 V 0.080 at VGS = - 4.5 V ID (A) -5 26 - 4.5 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 0.051 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
- Полярность транзистора: Dual P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7949DPT1E3, SI7949DP T1 E3