Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI7949DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 5 А — Даташит

Vishay SI7949DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7949DP-T1-GE3

41 предложений от 16 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
Maybo
Весь мир
SI7949DP-T1-GE3
Vishay
60 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7949DP-T1-GE3
Vishay
79 ₽
Эиком
Россия
SI7949DP-T1-GE3
Vishay
от 137 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI7949DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 5 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -5 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 80 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7949DPT1GE3, SI7949DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7949DP-T1-GE3 - Vishay DUAL P CHANNEL MOSFET, -60 V, 5 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка