Datasheet SI7949DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 5 А — Даташит
Наименование модели: SI7949DP-T1-GE3
![]() 34 предложений от 15 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт | |||
SI7949DP-T1-GE3 Vishay | от 18 ₽ | ||
SI7949DP-T1-GE3 Vishay | 59 ₽ | ||
SI7949DP-T1-GE3 Vishay | 77 ₽ | ||
SI7949DP-T1-GE3 Vishay | от 136 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 5 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -5 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7949DPT1GE3, SI7949DP T1 GE3