Datasheet SI7958DP-T1-E3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7958DP-T1-E3
8 предложений от 8 поставщиков Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | |||
| SI7958DP-T1-E3 Vishay | 174 ₽ | ||
| SI7958DP-T1-E3 Vishay | 174 ₽ | ||
| SI7958DPT1E3 Vishay | по запросу | ||
| SI7958DP-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, SOIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7958DPT1E3, SI7958DP T1 E3
